24V 100Ah লিথিয়াম আয়ন ব্যাটারি

একটি কার্যকর টেক্সচারিং কাঠামো ছোট-সার্কিট কারেন্ট বাড়াতে পারে, যা সৌর কোষের কর্মক্ষমতা উন্নত করতে অবদান রাখে। এই কাগজটি প্রথমে একটি HF/HNO3/H2O সিস্টেমে সিলিকন ওয়েফারগুলির ক্ষয় আচরণের বিশদ বিবরণ দিয়েছে। এচিং দ্রবণ অনুপাত, তাপমাত্রা এবং সময় পরিবর্তিত করে, জারা হার, সিলিকন ওয়েফার প্রতিফলন এবং সেল আউটপুট পরামিতিগুলি তদন্ত করা হয়েছিল। পরীক্ষায় দেখা গেছে যে HF/HNO3/H2O সিস্টেমে HF সামগ্রী বৃদ্ধির সাথে ক্ষয়ের হার প্রথমে বৃদ্ধি পায় এবং তারপরে হ্রাস পায় এবং তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়। প্রতিফলন সম্পর্কে, 3:1 এর HF:HNO3 অনুপাত সিলিকন ওয়েফারগুলির জন্য সর্বনিম্ন প্রতিফলন তৈরি করেছে। যাইহোক, PECVD বিরোধী প্রতিবিম্ব আবরণের পরে, অন্যান্য এচিং অবস্থার অধীনে প্রস্তুত ওয়েফারের তুলনায় এই সুবিধাটি সামান্য হ্রাস পেয়েছে। সেল আউটপুট প্যারামিটারের ক্ষেত্রে, HF:HNO3 অনুপাত 3:1 কম দক্ষতা প্রদর্শন করেছে, যখন HF:HNO3 অনুপাত 1:5, সামান্য উচ্চতর প্রতিফলন সহ, সর্বোচ্চ দক্ষতা অর্জন করেছে। একটি HF/HNO₃/H₂O সিস্টেমে সিলিকন ওয়েফারের জারা আচরণের উপর গবেষণার উপর ভিত্তি করে, এই কাগজটি সেকেন্ডারি অ্যাসিড এচিং জড়িত একটি অভিনব টেক্সচারিং পদ্ধতির প্রস্তাব করে, যা প্রচলিত উৎপাদন প্রক্রিয়া থেকে আলাদা। প্রাথমিকভাবে, সিলিকন ওয়েফার একটি HNO₃-সমৃদ্ধ এচ্যান্টে প্রাথমিক এচিং করে, তারপরে HF-সমৃদ্ধ এচ্যান্টে একটি সেকেন্ডারি এচিং হয়। এই পদ্ধতিটি পৃষ্ঠের টেক্সচারকে অপ্টিমাইজ করে এবং সিলিকন পৃষ্ঠে আলোর প্রতিফলনের ক্ষতি কমায়। টেক্সচার করার পরে, একটি স্ক্যানিং ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপ (SEM) ব্যবহার করে সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের রূপবিদ্যা বিশ্লেষণ করা হয়েছিল, এবং একটি Carry 5000 UV-Vis-NIR স্পেকট্রোফোটোমিটার ব্যবহার করে প্রতিফলন বর্ণালী পরিমাপ করা হয়েছিল। সেকেন্ডারি এচিং প্রক্রিয়ার ন্যূনতম প্রতিফলন (প্রতিফলন প্রতিরোধী আবরণ ছাড়া) ছিল 20.34%, প্রাথমিক এচিং প্রক্রিয়া (22.70%) থেকে 2.36% কম। তদ্ব্যতীত, নতুন সেকেন্ডারি এচিং প্রক্রিয়াটি সৌর কোষের শিল্প উত্পাদনে প্রয়োগ করা হয়েছিল এবং কোষের আউটপুট পরামিতিগুলি বিশ্লেষণ করা হয়েছিল। ফলাফলগুলি দেখায় যে ওপেন-সার্কিট ভোল্টেজ, শর্ট-সার্কিট কারেন্ট, এবং সেকেন্ডারি এচিং প্রক্রিয়ার সাথে চিকিত্সা করা সৌর কোষগুলির কার্যকারিতা প্রাথমিক এচিং প্রক্রিয়া ব্যবহারকারীদের তুলনায় বিভিন্ন ডিগ্রীতে উন্নত হয়েছে, সর্বোচ্চ দক্ষতা 15.45% এ পৌঁছেছে।